РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнявидом документа
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (15)Наукова періодика України (35)Авторитетний файл імен осіб (1)
Пошуковий запит: (<.>A=Сукач Г$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 66
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Олексенко П. Ф. Виртуальный измерительный комплекс параметров оптронов. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
2.

Сукач Г. О. Історія та перспективи розвитку промислового виробництва напівпровідникових матеріалів в Україні. — 2000 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
3.

Сукач Г. А. Влияние параметров импульсного питания и внутренних физических факторов на эксплуатационные характеристики светодиодов. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
4.

Сукач Г. А. Влияние поверхностной оже-рекомбинации на квантовый выход люминесценции в GaAs. — 2000 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
5.

Сукач Г. А. Методы измерения температуры перегрева активной области полупроводниковых приборов с потенциальными барьерами. — 1999 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
6.

Сукач Г. А. Об информационной толщине слоя формирования фотоэффектов в полупроводниках. — 1999 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
7.

Сукач Г. О. Підкладки для епітаксійного росту нітридів ІІІ групи : Моногр. — К.: Четверта хвиля, 2007
8.

Бушма А. В. Анализ и оптимизация интегрированных оптоэлектронных устройств вывода информации дискретно-аналогового типа. — 2002 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.
9.

Кидалов В. В. Властивості пористого арсеніду галію. — 2004 // Фізика і хімія твердого тіла.
10.

Сукач Г. О. Вплив поверхневих рекомбінаційних процесів вищих порядків на товщину прошарку, відповідального за формування фотоефектів у напівпровідникових структурах. — 2002 // Укр. фіз. журн.
11.

Сукач Г. О. Люмінесценція плівок GaN:Zn, оброблених радикалами азоту, отриманими у високочастотній плазмі аміаку. — 2003 // Укр. фіз. журн.
12.

Сукач Г. А. Метрологическое обеспечение измерителей потока энергии оптического излучения. — 2002 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
13.

Бушма А. В. Моделирование позиционного дискретно-аналогового представления информации. — 2001 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
14.

Сукач Г. О. Нітриди третьої групи: перспективи розвитку та застосування (огляд). — 2003 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
15.

Бушма А. В. Оптимизация динамического дискретно-аналогового представления данных. — 2003 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.
16.

Богословская А. Б. Рекомбинационные процессы в оптоэлектронных гетероструктурах ИК-диапазона на основе соединений <$E bold roman {A sup III B sup V}> (Обзор). — 2001 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
17.

Сукач Г. А. Физико-математическая модель роста тонких пленок GaN при обработке кристаллов GaAs в атомарном азоте. — 2002 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
18.

Сукач Г. О. Фізико-математичне моделювання процесів нітридизації галієвих сполук <$E bold roman {A sup 3 B sup 5}> в радикалах азоту. — 2004 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
19.

Бушма А. В. Неструктурная оптимизация устройств шкального представления информации с высокой дискретностью. — 2005 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.
20.

Козак О. В. Вплив лікувальної активності на кількість курсів радіойодотерапії при метастатичних ураженнях легень у хворих на диференційований рак щитоподібної залози. — 2004 // Укр. радіол. журн.
...
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського